Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»

Задача конкурса – поддержка исследований, осуществляемых учеными на основе междисциплинарного подхода и направленных на получение фундаментальных научных результатов по тематическим направлениям, сформированным РФФИ для реализации Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации.

В конкурсе могут участвовать коллективы численностью не менее 5 человек и не более 10 человек, состоящие из граждан Российской Федерации, а также иностранных граждан и лиц без гражданства, имеющих статус налогового резидента Российской Федерации, прошедшие идентификацию (оформившие Согласие на признание электронных документов, подписанных в КИАС РФФИ простой электронной подписью, равнозначными документам, составленным на бумажных носителях) по правилам РФФИ.

На конкурсный отбор должны быть представлены проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по следующим тематическим направлениям (рубрикатору конкурса):

1. Физические принципы работы резистивной (RRAM) и сегнетоэлектрической памяти (FRAM) на основе традиционных и новых материалов c мемристорными свойствами.

2. Механизмы переключения элементов памяти на основе оксидов металлов, исследование влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления диэлектриков и определение их электронных свойств в различных состояниях мемристора.

3. Физико-химические факторы, препятствующие достижению высокого быстродействия, надежности, большому количеству циклов переключения и воспроизводимости основных электрических параметров мемристорных структур.

4. Моделирование и разработка самосовмещенных с мемристором селекторных диодов, необходимых для создания матриц памяти терабитного масштаба.

5. Мемристорные структуры, не требующие стадии формовки.

6. Моделирование, проектирование и разработка архитектуры элемента памяти с самосовмещенным селектором и матрицы элементов памяти терабитного масштаба, включая трехмерную интеграцию.

7. Энергонезависимые многоуровневые элементы памяти на основе оксидов металлов, оксиде и фториде графена и других новых материалов.

8. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Заявка для участия в конкурсе подается руководителем коллектива путем заполнения электронных форм в КИАС РФФИ в соответствии с Инструкцией по оформлению заявки в КИАС РФФИ.

Дата и время начала подачи заявок: 15.01.2019 15:00 (МСК)

Дата и время окончания подачи заявок: 19.02.2019 23:59 (МСК)

За справочной информацией и

помощью в оформлении заявок

обращаться в отдел грантов и инноваций @mail: ogi.dgmu@mail.ru

Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований