Объявления

Все объявления

  • Телефон для приема сообщений о коррупционных проявлениях:


    68-32-80

  • Эл. почтовый ящик:

    Ubdgmu@mail.ru

Конкурс «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»

16.01.2019

45

Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»

Задача конкурса – поддержка исследований, осуществляемых учеными на основе междисциплинарного подхода и направленных на получение фундаментальных научных результатов по тематическим направлениям, сформированным РФФИ для реализации Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации.

В конкурсе могут участвовать коллективы численностью не менее 5 человек и не более 10 человек, состоящие из граждан Российской Федерации, а также иностранных граждан и лиц без гражданства, имеющих статус налогового резидента Российской Федерации, прошедшие идентификацию (оформившие Согласие на признание электронных документов, подписанных в КИАС РФФИ простой электронной подписью, равнозначными документам, составленным на бумажных носителях) по правилам РФФИ.

На конкурсный отбор должны быть представлены проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по следующим тематическим направлениям (рубрикатору конкурса):

1. Физические принципы работы резистивной (RRAM) и сегнетоэлектрической памяти (FRAM) на основе традиционных и новых материалов c мемристорными свойствами.

2. Механизмы переключения элементов памяти на основе оксидов металлов, исследование влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления диэлектриков и определение их электронных свойств в различных состояниях мемристора.

3. Физико-химические факторы, препятствующие достижению высокого быстродействия, надежности, большому количеству циклов переключения и воспроизводимости основных электрических параметров мемристорных структур.

4. Моделирование и разработка самосовмещенных с мемристором селекторных диодов, необходимых для создания матриц памяти терабитного масштаба.

5. Мемристорные структуры, не требующие стадии формовки.

6. Моделирование, проектирование и разработка архитектуры элемента памяти с самосовмещенным селектором и матрицы элементов памяти терабитного масштаба, включая трехмерную интеграцию.

7. Энергонезависимые многоуровневые элементы памяти на основе оксидов металлов, оксиде и фториде графена и других новых материалов.

8. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Заявка для участия в конкурсе подается руководителем коллектива путем заполнения электронных форм в КИАС РФФИ в соответствии с Инструкцией по оформлению заявки в КИАС РФФИ.

Дата и время начала подачи заявок: 15.01.2019 15:00 (МСК)

Дата и время окончания подачи заявок: 19.02.2019 23:59 (МСК)

За справочной информацией и

помощью в оформлении заявок

обращаться в отдел грантов и инноваций @mail: ogi.dgmu@mail.ru

Конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: