– M.A. Rizakhanov, И.А. Карпович .. Физика и техника полупроводников, 1970,4, №9, 1809-1810.

– Карпович И.А., Ризаханов М.А., Звонков Б.Н. Физика твердого тела, 1970, 12, №8, 2220-2223.

– Карпович И.А., Ризаханов М.А., Калинин А.Н. Физика и техника полупроводников., 1970, 4, №10, 1995-1997.

–  Rizakhanov M.A.  Method for determining the cross section for electron by a trap. Transl.: Izvestiya Vysshikh Uchebnykh  Zavedenii.  Fizika, 1971No.1,  pp.153-154 (1973, Consultants Bureau, a division of  Plenum Publishing Corporation, 227 West street, New York, №4, 10011).

– Rizakhanov M.A. Письма в ЖЭТФ, 1972, 15, 718-721.

– Ризаханов М.А. et al. . Физика и техника  полупроводников, 1974,8, №8, 1521-1524. Физика и техника  полупроводников, 1974,8, №11, 2084-2088.Физика и техника  полупроводников, 1975, 9, №9, 1837-1839. Физика и техника  полупроводников, 1975, 9, №10, 2002-2004. Физика и техника полупроводников, 1976, 10, №9, 1627-1633. Физика и техника полупроводников, 1976, 10, №3, 582-584. Физика и  техника полупроводников, 1978, 12, №7,1342-1345. Физика и техника полупроводников, 1978, 12, №5, 993-995. Физика и техника  полупроводников, 1978, 12, №11,  2186-2191. Физика и техника  полупроводников, 1979, 13, №11, 2240-2243. Физика и техника полупроводников, 1979,13, №10, 2030-2032. Физика и техника полупроводников, 1979,  13, №5, 998-1000. Физика и техника  полупроводников, 1979, 13, №8, 1518-1522. Физика и техника полупроводников, 1979, 13, №7,1324-1328. Физика и техника полупроводников, 1980, 14, №4, 691-694. Физика и техника полупроводников, 1980,  14, №12, 2407-2410. Физика и техника полупроводников, 1980, 14, №9, 1665-1672. Физика и техника полупроводников, 1981, 15, №5, 1042-1044. Физика и техника полупроводников, 1982, 16, №4, с.759 (Депонировано ЦНИИ «Электроника»,- Р-3271/81, Москва-1981 ). Физика и техника полупроводников, 1982, 16, №4, 760 с. (Депонировано ЦНИИ «Электроника», – Р.3271/81, Москва-1981, 16 с.). Физика и техника полупроводников, 1982, 16, №4, 699-702. Физика  и техника полупроводников, 1982, 16, №9, 1584-1586. Физика и техника полупроводников, 1982, 16, №8, 1371-1376. Физика и техника  полупроводников, 1983, 17, №11, 2086-2088. Физика и техника полупроводников, 1984, 18, №10, 1788-1794. Физика  и техника полупроводников, 1987, 21, №9, 1637-1641. Физика и техника полупроводников, 1989, 23, №7,1291-1293.

–  Ризаханов М.А., Габибов Ф.С.  Письма в ЖТФ, 1979, 5, №14, 883-886.

– Ризаханов М.А., Магомедов М.А.,  Магомедов Х.А. Письма в ЖЭТФ, 1980, 13, №6, 416-419.

– Ризаханов М.А., Магомедов М.А., Магомедов Х.А. Поверхность (физика, химия, механика) – 1982, 1, №3,136-139.

– Агаев Я., Ризаханов М.А. et al. Известия АН Туркменской ССР, серия физическая, химическая и геологические науки, 1984, №3, 77-79.

– Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. Известия АН СССР, Серия физическая, 1985, 49, №4, 801-805.

– Агаев Я., Ризаханов М.А. et al. Известия АН Туркменской ССР, Серия физическая, химическая и геологические науки, 1986, №4, 77-81.

– Магомедов М.А.,  Магомедов Х.А ., Ризаханов М.А., Гасанова Р.Н.. Известия АН СССР.  Неорганические материалы, 1989, 25, №1, 149-151.

– Rizakhanov M. A. Auniversal diagram of characteristic parameters of electrontraps and there lated thermally stimulated spectrain semiconductors and dielectrics, SolidStatePhys.1989.31,193-196. Transl.: FizikaTverdogoTela 31 (1989) №11, 193-196.

– Rizakhanov M. A.  A diagram of characteristic parameters of defects and termorelасtion spectrain solid stats, SolidStatePhys.1990, 32, №8, 2463-2466. Transl.: FizikaTverdogoTela,1990, 32, №8, 2463-2466.

– Rizakhanov M.A., Hamidov, M.M.   Photoelectrically active and inactiveel ectrontraps in ZnSe crystals, Semiconductors 27 (1993) 721-727. Transl.: Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 27 (1993) №5, 721-727. 39.

– Rizakhanov M.A. Photodipoles with ionizationally-operated electrical moment in photochemically active solid media, Russian Chemistry Journal (Juornal Ross. Chim.Obshestvaim. D.U. Mendeleeva). New ideas and hypotheses, 1996, 40, №2, 77-83.Juornal is translated into English by AllertonPress.Inc.

– Rizakhanov, M.A. The physics and chemistry of oxygen release at the photosynthesis of plants. Russian Chemical Journal, Journal of the D.I. Mendeleev Society (New Ideas and Hypotheses). 1997, 41, №3, 37-47 ([inRussian].

– Rizakhanov M.A., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С. Известия вузов, Материалы электронной техники, 2000, №4, 60-63.

– Rizakhanov M.A., Эмиров Ю. Н. Неорганические материалы, 2000, 36, №11, 1313-1315.

– Rizakhanov M.A., Khamidov M.M., Emirov Yu.N. Photogeneration of donor pairs in ZnSe<Ag> crystals. Inorganic Materials.- 2000, 36, №12, 1428-1431.

– Emirov Y. H., Rizakhanov M.А., Зобов Е.М., Сборник ФИАНа, 2000, №7, с. 25-33.

– Zobov E.M., Rizakhanov M.A. The Spread of cross section electron capture by a trap with a discrete energy level in γ-La₂S₃ crystals. Semiconductors, 2001, 35, 164-169.

– Rizakhanov M.A., Zobov E. M., Khamidov M.M. Structurally complex two-hole and two-electron slow traps with bikinetiс properties in p-ZnTe and n-ZnS crystals. Semiconductors, 2004,38, 48-55.

– Zobov E.M., Zobov M.Е., Kamaludinova Ch., Rizakhanov M.A. Electron trap with a wide range of capture cross section powdery ZnS-based luminophors, J.of Applied Spectroscopy,2005, 72, 202-206.

– Zobov E.M, Zobov M.Е., Rizakhanov M.A. Thermal ionization of an electron trap in Zn_0,97 Cd_0,03S<Cu,Cl>Luminophore facilitated by electromodulation of the capture cross section, Technical Phys. Letters,2012, 38,492-495.

– Rizakhanov M.A., Rasulov M.M.,  L.A. Atlukhanova. Thermostimulated Electred Depolarization Currents: Methods for Estimating and Controlling the Characteristic Parameters of Dipoles. TechnicalPhysics, 2017, 62, №4, 638-641.

– Ризаханов М.А., Магомедов М.А., Курбанов А., Неорганические материалы , 2017, 53, №1,1-4.

 – Ризаханов М.А. et al. Monitoring: Scienceand Technology 2018, №2, 85-89.

– Rizakhanov M.A. Thermolumine scence from photosynthetic apparatus: methods for determining and control lingthe characteristic parameters of electron traps, Monitoring: Science and Technology, 2019, №2,58-65.